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离子溅射系统是一种基于物理气相沉积(PVD)的薄膜制备技术，广泛应用于材料科学、半导体制造等领域。本文从原理、核心组件和技术优势以及分类四方面展开分析。
1. 工作原理。
- 溅射机制：氩离子在高真空环境中被电场加速轰击靶材表面，通过动量传递使靶材原子脱离并沉积到基片表面。
- 能量控制：通过调节电压(通常为300-1000V)和气体压力(0.1-10Pa)控制薄膜生长速率与致密性。
2. 系统组成。
-离子源：产生高能离子束(如聚焦束考夫曼源或平栅离子源)，能量范围通常为0.5–3 keV，束流可达150 mA12。
-靶材：被轰击的材料，其原子通过溅射转移到基片表面。
-真空系统：工作真空度需达1–2×10⁻² Pa，极限真空可达4×10⁻⁴ Pa12。
-加速器：用于提升离子束能量，增强轰击效率2。
-中和装置：如灯丝中和，防止电荷积累对工艺的影响1。
3. 技术优势 。
- 可制备金属、陶瓷、高分子等多种薄膜材料。
- 薄膜附着力强，厚度均匀性达±5%以内。
4.按功能分类。
-离子束辅助磁控溅射：结合磁控技术提升沉积效率5。
-多功能联合系统：支持离子注入、溅射沉积及混合工艺。
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